4月13日，長江存儲宣布，該公司跳過96層，成功研發(fā)128層QLC3D NAND閃存（型號：X2-6070），并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
長江存儲一期生產(chǎn)線月產(chǎn)能10萬片，今年以來產(chǎn)能一直在爬坡。對于量產(chǎn)時(shí)間，長江存儲向觀察者網(wǎng)透露，配合前述產(chǎn)能，128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續(xù)量產(chǎn)。
去年9月，長江存儲已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的中國首款64層3D NAND閃存。對此，該公司指出，作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中較高單位面積存儲密度，較高I/O傳輸速度和較高單顆NAND閃存芯片容量。
據(jù)介紹，QLC是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點(diǎn)，適合于讀取密集型應(yīng)用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個(gè)存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。
長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking2.0時(shí)代的到來，長江存儲有決心，有實(shí)力，有能力開創(chuàng)一個(gè)嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢，達(dá)到互利共贏?！?/p>
此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060）。
實(shí)現(xiàn)1.6Gbps傳輸速率
據(jù)長江存儲介紹，得益于Xtacking 架構(gòu)對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，其64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)，上市之后廣受好評。
在長江存儲128層系列產(chǎn)品中，Xtacking已全面升級至2.0，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當(dāng)前業(yè)界較高。
長江存儲表示，由于外圍電路和存儲單元分別采用獨(dú)立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進(jìn)的制程，同時(shí)在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking2.0還為3D NAND帶來更佳的擴(kuò)展性。未來，長江存儲將與合作伙伴攜手，構(gòu)建定制化NAND商業(yè)生態(tài)，共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。
該公司指出，其通過對技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品，并確立了在存儲行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長江存儲通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking架構(gòu)的前瞻性和成熟度，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實(shí)可行的路徑。
龔翊表示：“我們相信，長江存儲128層系列產(chǎn)品將會為合作伙伴帶來更大的價(jià)值，具有廣闊的市場應(yīng)用前景。其中，128層QLC版本將率先應(yīng)用于消費(fèi)級SSD，并逐步進(jìn)入企業(yè)級服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，以滿足未來5G、AI時(shí)代多元化數(shù)據(jù)存儲需求?！?/p>
容量超64層芯片5倍
長江存儲介紹，QLC是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點(diǎn)，適合于讀取密集型應(yīng)用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個(gè)存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。
如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當(dāng)于提供3665億個(gè)房間，每個(gè)房間住4“人”，共可容納約14660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
閃存和SSD領(lǐng)域知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為：“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲介質(zhì)。隨著主流消費(fèi)類SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來市場增量將非常可觀。”Gregory同時(shí)表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領(lǐng)域， QLC SSD將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲，使其更適用于AI計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí)，實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。在消費(fèi)類領(lǐng)域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及?！?/p>
接下來 數(shù)據(jù)恢復(fù)怎么辦?
西數(shù)科技: 司法鑒定/產(chǎn)品質(zhì)量鑒定/檢驗(yàn)檢測/數(shù)據(jù)恢復(fù)專家. 4006184118
