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長江存儲“跳級”推出128層閃存,單顆容量1.33Tb

4月13日,長江存儲宣布,該公司跳過96層,成功研發(fā)128層QLC3D NAND閃存(型號:X2-6070),并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

長江存儲一期生產(chǎn)線月產(chǎn)能10萬片,今年以來產(chǎn)能一直在爬坡。對于量產(chǎn)時間,長江存儲向觀察者網(wǎng)透露,配合前述產(chǎn)能,128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續(xù)量產(chǎn)。

去年9月,長江存儲已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的中國首款64層3D NAND閃存。對此,該公司指出,作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中較高單位面積存儲密度,較高I/O傳輸速度和較高單顆NAND閃存芯片容量。

據(jù)介紹,QLC是繼TLC(3 bit/cell)后3D NAND新的技術形態(tài),具有大容量、高密度等特點,適合于讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧,共有超過3665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數(shù)據(jù),共提供1.33Tb的存儲容量。
長江存儲“跳級”推出128層閃存,單顆容量1.33Tb插圖

長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊(Grace)表示:“作為閃存行業(yè)的新人,長江存儲用短短3年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長存人汗水的凝聚,也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking2.0時代的到來,長江存儲有決心,有實力,有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài),讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢,達到互利共贏。”

此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060)。

實現(xiàn)1.6Gbps傳輸速率

據(jù)長江存儲介紹,得益于Xtacking 架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化,其64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn),上市之后廣受好評。

在長江存儲128層系列產(chǎn)品中,Xtacking已全面升級至2.0,進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的數(shù)據(jù)傳輸速率,為當前業(yè)界較高。

長江存儲表示,由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝,CMOS電路可選用更先進的制程,同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。未來,長江存儲將與合作伙伴攜手,構建定制化NAND商業(yè)生態(tài),共同推動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。

該公司指出,其通過對技術創(chuàng)新的持續(xù)投入,已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品,并確立了在存儲行業(yè)的技術創(chuàng)新領導力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量,長江存儲通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度,為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實可行的路徑。

龔翊表示:“我們相信,長江存儲128層系列產(chǎn)品將會為合作伙伴帶來更大的價值,具有廣闊的市場應用前景。其中,128層QLC版本將率先應用于消費級SSD,并逐步進入企業(yè)級服務器、數(shù)據(jù)中心等領域,以滿足未來5G、AI時代多元化數(shù)據(jù)存儲需求。”

容量超64層芯片5倍

長江存儲介紹,QLC是繼TLC(3 bit/cell)后3D NAND新的技術形態(tài),具有大容量、高密度等特點,適合于讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧,共有超過3665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數(shù)據(jù),共提供1.33Tb的存儲容量。

如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”,一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3665億個房間,每個房間住4“人”,共可容納約14660億“人”居住,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認為:“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)(Byte)的成本,更適合作為大容量存儲介質(zhì)。隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上,QLC SSD未來市場增量將非??捎^?!盙regory同時表示:“與傳統(tǒng)HDD相比,QLC SSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領域, QLC SSD將為服務器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲,使其更適用于AI計算,機器學習,實時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應用。在消費類領域,QLC將率先在大容量U盤,閃存卡和SSD中普及?!?/p>

接下來 數(shù)據(jù)恢復怎么辦?

西數(shù)科技: 司法鑒定/產(chǎn)品質(zhì)量鑒定/檢驗檢測/數(shù)據(jù)恢復專家. 4006184118

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